Galium arsenida

Galium arsenida
	; GaAs wafer of (100) orientation
Nama
	Nama IUPAC (preferensi) Gallium arsenide
Penanda
Nomor CAS	1303-00-0 ;
Model 3D (JSmol)	Gambar interaktif; Gambar interaktif;
3DMet	{{{3DMet}}}
ChemSpider	14087 ;
Nomor EC
MeSH	gallium+arsenide
PubChem CID	14770;
Nomor RTECS	{{{value}}}
UNII	27FC46GA44 ;
Nomor UN	1557
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID2023779 ;
	InChI InChI=1S/AsH3.Ga.3H/h1H3;;;; Key: SHVQQKYXGUBHBI-UHFFFAOYSA-N ;
	SMILES [Ga]#[As]; [Ga+3].[As-3];
Sifat
Rumus kimia	GaAs
Massa molar	144,645 g/mol
Penampilan	Kristal abu-abu
Bau	seperti bawang ketika berair
Densitas	5,3176 g/cm3
Titik lebur	1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)
Kelarutan dalam air	tidak larut
Kelarutan	larut dalam HCl ; tidak larut dalam etanol, metanol, aseton
Celah pita	1,441 eV (pada 300 K)
Mobilitas elektron	9000 cm2/(V·s) (at 300 K)
Suseptibilitas magnetik (χ)	-16,2×10−6 cgs
Konduktivitas termal	0,56 W/(cm·K) (pada 300 K)
Indeks bias (nD)	3,3
Struktur
Struktur kristal	Zinc blende
Grup ruang	T2d-F-43m
Konstanta kisi	a = 565,315 pm
Geometri koordinasi	Tetrahedral
Bentuk molekul	Linear
Bahaya
Lembar data keselamatan	External MSDS
Piktogram GHS
Keterangan bahaya GHS	{{{value}}}
Pernyataan bahaya GHS	H350, H372, <abbr class="abbr" title="Error in hazard statements">H360F
Langkah perlindungan GHS	P261, P273, P301+310, P311, P501
Senyawa terkait
Anion lain	Galium nitrida; Galium fosfida; Galium antimonida
	Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada suhu dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa).
	verifikasi (apa ini ?)
	Referensi

Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor III-V celah pita langsung dengan struktur kristal seng blende.

Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang mikro, sirkuit terpadu gelombang mikro monolitik, dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik.

GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk indium galium arsenida, aluminium galium arsenida dan lain-lain.

Penyiapan dan sifat kimia

Di dalam senyawa, galium memiliki tingkat oksidasi +3. Kristal tunggal Galium arsenida dapat disiapkan oleh tiga proses industri:

Proses pembekuan gradien vertikal (VGF) (kebanyakan wafer GaAs diproduksi menggunakan proses ini).^[5]
Pertumbuhan kristal menggunakan tungku zona horizontal dalam teknik Bridgman-Stockbarger, di mana galium dan arsenik bereaksi, dan molekul-molekul bebas mengendap pada biji kristal di ujung tungku yang lebih dingin.
Pertumbuhan Czochralski enkapsulasi cair (LEC) digunakan untuk menghasilkan kristal tunggal dengan kemurnian tinggi yang dapat menunjukkan karakteristik semi-isolasi (lihat di bawah).

Metode alternatif untuk memproduksi film GaAs meliputi:^[6]^[7]

Reaksi VPE dari gas logam galium dan arsenik triklorida: 2 Ga + 2 AsCl₃ → 2 GaAs + 3 Cl₂
Reaksi MOCVD trimetilgalium dan arsina: Ga(CH₃)₃ + AsH₃ → GaAs + 3 CH₄
Molekul balok epitaksi (MBE) dari galium dan arsenik: 4 Ga + As₄ → 4 GaAs atau 2 Ga + As₂ → 2 GaAs

Oksidasi GaAs terjadi di udara, menurunkan kinerja semikonduktor. Permukaan dapat dipasivasi dengan mendepositkan lapisan kubus sulfat galium (II) menggunakan senyawa tert-butil gallium sulfida seperti (^{^t}BuGaS)₇.

Kristal semi isolasi

Dengan adanya arsenik berlebih, boule GaAs ditumbuhkan dengan kecacatan kristalografi; khususnya, cacat antisit arsenik (sebuah atom arsenik di dalam sebuah situs atom galium dalam kisi kristal). Sifat elektronik dari kecacatan ini (berinteraksi dengan kisi lainnya) menyebabkan level Fermi disematkan di dekat pusat celah pita, sehingga kristal GaAs ini memiliki konsentrasi elektron dan lubang yang sangat rendah. Konsentrasi pembawa rendah ini mirip dengan kristal intrinsik (tidak terdadah sempurna), tetapi jauh lebih mudah dicapai dalam praktiknya. Kristal ini disebut "semiisolasi", yang mencerminkan resistivitas tinggi dari 10⁷-10⁹ Ω·cm (yang cukup tinggi untuk semikonduktor, tapi masih jauh lebih rendah dari isolator sesungguhnya seperti kaca).

Punar (etching)

Pemunaran basah GaAs secara industri menggunakan agen pengoksidasi seperti hidrogen peroksida atau air bromin ^[8] dan strategi yang sama telah dijelaskan dalam paten yang berkaitan dengan pemrosesan komponen sisa yang mengandung GaAs di mana Ga³⁺ dikomplekskan dengan asam hidroksamat ("HA"), misalnya:

GaAs + H₂O₂ + kompleks "HA" → "GaA" + H₃AsO₄ + 4 H₂O

Reaksi ini menghasilkan asam arsenik.

Elektronika

Logika digitas GaAs

GaAs dapat digunakan untuk berbagai jenis transistor:^[9]

Transistor efek medan logam-semikonduktor (MESFET)
Transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT)
Transistor efek medan persimpangan (JFET)
Transistor bipolar hetero (HBT)
Transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET)

HBT dapat digunakan dalam logika injeksi terintegrasi (I²L). Gerbang logika GaAs paling awal menggunakan Buffered FET Logic (BFL).^[9]

Dari 1975 hingga 1995 keluarga logika utama yang digunakan adalah:

Source-coupled FET logic (SCFL) tercepat dan paling kompleks, (digunakan oleh TriQuint & Vitesse)
Capacitor – diode FET logic (CDFL) (digunakan oleh Cray)
Direct-coupled FET logic (DCFL) daya paling sederhana dan terendah (digunakan oleh Vitesse untuk array gerbang VLSI)

Perbandingan dengan silikon untuk elektronika

Keunggulan GaAs

Beberapa sifat elektronik galium arsenida lebih unggul dari silikon. Senyawa ini memiliki kecepatan elektron jenuh dan mobilitas elektron yang lebih tinggi, memungkinkan transistor galium arsenida berfungsi pada frekuensi lebih dari 250 GHz. Perangkat GaAs relatif tidak sensitif terhadap panas berlebih, karena celah pita energinya yang lebih luas, dan juga cenderung membuat lebih sedikit derau (gangguan pada sinyal listrik) di sirkuit elektronik daripada perangkat silikon, terutama pada frekuensi tinggi. Ini adalah hasil dari mobilitas pembawa yang lebih tinggi dan parasitik perangkat resistif yang lebih rendah. Sifat superior ini merupakan alasan kuat untuk menggunakan sirkuit GaAs di ponsel, komunikasi satelit, tautan titik-ke-titik gelombang mikro dan sistem radar frekuensi tinggi. Ini juga digunakan dalam pembuatan dioda Gunn untuk pembuatan gelombang mikro.

Keuntungan lain dari GaAs adalah memiliki celah pita langsung, yang berarti dapat digunakan untuk menyerap dan memancarkan cahaya secara efisien. Silikon memiliki celah pita tidak langsung dan relatif buruk dalam memancarkan cahaya.

Sebagai meterial celah pita lebar langsung dengan resistensi yang dihasilkan terhadap kerusakan radiasi, GaAs adalah meterial yang sangat baik untuk elektronik luar angkasa dan jendela optik dalam aplikasi berdaya tinggi.

Karena memiliki celah pita yang lebar, GaAs murni sangat resistif. Dikombinasikan dengan konstanta dielektrik yang tinggi, properti ini menjadikan GaAs sebagai substrat yang sangat baik untuk sirkuit terpadu dan tidak seperti Si, GaAs menyediakan isolasi alami antara perangkat dan sirkuit. Ini telah membuatnya menjadi bahan yang ideal untuk sirkuit terpadu microwave monolitik (MMIC), di mana komponen pasif aktif dan esensial dapat dengan mudah diproduksi pada satu irisan GaAs.

Salah satu mikroprosesor GaAs pertama dikembangkan pada awal 1980-an oleh RCA dan dipertimbangkan untuk program Star Wars dari Departemen Pertahanan Amerika Serikat. Prosesor ini beberapa kali lebih cepat dan beberapa kali lipat lebih tahan radiasi daripada prosesor silikon, tetapi lebih mahal.^[10] Prosesor GaAs lainnya diimplementasikan oleh vendor superkomputer Cray Computer Corporation, Convex, dan Alliant dalam upaya untuk tetap berada di depan mikroprosesor CMOS yang terus berkembang. Cray akhirnya membangun satu mesin berbasis GaAs pada awal 1990-an, Cray-3, tetapi usaha itu tidak sukses dan perusahaan tersebut mengajukan kebangkrutan pada tahun 1995.

Struktur berlapis kompleks dari galium arsenida yang dikombinasikan dengan aluminium arsenida (AlAs) atau logam paduan Al_xGa_1−xAs dapat ditumbuhkan dengan menggunakan epitaksi berkas molekul (MBE) atau menggunakan epitaksi fase uap metalorganik epitaxy (MOVPE). Karena GaAs dan AlAs memiliki konstanta kisi yang hampir sama, lapisan tersebut memiliki regangan induksi sangat sedikit, yang memungkinkan mereka untuk tumbuh hampir secara sembarangan tebal. Hal ini memungkinkan transistor HEMT berkinerja sangat tinggi dan mobilitas elektron tinggi serta perangkat sumur kuantum lainnya.

Kekhawatiran atas kerentanan GaAs terhadap kerusakan akibat panas telah meningkat, tetapi ada spekulasi bahwa produsen tertentu akan mendapat manfaat dari pembatasan tersebut, mengingat siklus keusangan yang direncanakan yang dirancang untuk diikuti oleh banyak elektronik konsumen.

Lihat pula

Referensi

^ ^a ^b ^c ^d Haynes, p. 4.64
^ ^a ^b Haynes, p. 12.90
^ ^a ^b Haynes, p. 12.86
^ ^a ^b Haynes, p. 12.81
^ Scheel, Hans J.; Tsuguo Fukuda. (2003). Crystal Growth Technology. Wiley. ISBN 978-0471490593.
^ Moss, S. J.; Ledwith, A. (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 978-0-216-92005-7.
^ Smart, Lesley; Moore, Elaine A. (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 978-0-7487-7516-3.
^ Brozel, M. R.; Stillman, G. E. (1996). Properties of Gallium Arsenide. IEEE Inspec. ISBN 978-0-85296-885-7.
^ ^a ^b Dennis Fisher; I. J. Bahl (1995). Gallium Arsenide IC Applications Handbook. 1. Elsevier. hlm. 61. ISBN 978-0-12-257735-2. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-07-28. Diakses tanggal 2021-03-25. 'Clear search' to see pages
^ Šilc, Von Jurij; Robič, Borut; Ungerer, Theo (1999). Processor architecture: from dataflow to superscalar and beyond. Springer. hlm. 34. ISBN 978-3-540-64798-0.