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7 nanómetros

Procesos de
fabricación de
semiconductores

El nodo de 7 nanómetros (7 nm) es el nodo de tecnología que sucede al nodo de 10 nm. La denominación exacta de este nodo de tecnología tiene su origen en el modo en que Intel plantea la tecnología.[1]

Demostraciones tecnológicas

En 2002, IBM fabricó un transistor de 6 nm.[2]

En 2003, NEC fabricó un transistor de 5 nm.[3]

En 2012, IBM fabricó un transistor de nanotubos de carbono de menos de 10 nm que superó el rendimiento del silicio en cuanto a velocidad y potencia.[4]​ "El mayor rendimiento a baja tensión del transistor CNT de menos de 10 nm demuestra la viabilidad de los nanotubos para las tecnologías de fabricación de transistores a gran escala", de acuerdo con el resumen del artículo de Nano Letters.[5]

Referencias

  1. «IDF 2013: Intel Shows Plans For 7 nm Chips; 22 nm LTE Atoms are Shipping». DailyTech. 11 de septiembre de 2013. Archivado desde el original el 3 de enero de 2015. 
  2. «IBM se hace con el transistor de silicio más pequeño del mundo». Archivado desde el original el 31 de mayo de 2011. Consultado el 3 de abril de 2013. 
  3. NEC fabrica en pruebas el transistor más pequeño del mundo
  4. «IBM: Tiny carbon nanotube transistor outshines silicon». Cnet.com (en inglés). 30 de enero de 2012. 
  5. Franklin, Aaron D.; et al. (2012). «Sub-10 nm Carbon Nanotube Transistor». Nano Letters (en inglés) 12 (2): 758-762. doi:10.1021/nl203701g. 
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