Search Results: MOSFET
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Kamis, 2026-07-30 15:18:07(englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine...
Click to read more »Mosfet
Jumat, 2016-04-29 00:05:01Abkürzung MOSFET steht für: englisch metal oxide semiconductor field-effect transistor, dt. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Der Begriff Mosfet steht...
Click to read more »Transistor
Minggu, 2026-05-17 15:05:02(MOSFET), der miniaturisiert und in Massenproduktion hergestellt werden kann und die Grundlage der CMOS-Technik darstellt. Der MOSFET ermöglicht...
Click to read more »Leistungs-MOSFET
Rabu, 2026-07-22 02:09:05Ein Leistungs-MOSFET (englisch power MOSFET, power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines...
Click to read more »Feldeffekttransistor
Senin, 2026-04-20 03:10:10geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Entdeckt wurde das Prinzip...
Click to read more »PMOS
Minggu, 2026-07-26 12:12:40Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und...
Click to read more »Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Rabu, 2026-02-25 17:40:06angemeldet. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen Leistungs-MOSFETs. Die Abbildung zeigt einen vertikalen Schnitt durch einen n-Kanal-IGBT...
Click to read more »Stromspiegel
Sabtu, 2025-09-27 19:39:25Verschiebung des Gleichspannungspegels analoger Signale ist damit möglich. MOSFET-Stromspiegel werden auch als elektronische Lasten eingesetzt, dabei dient...
Click to read more »Leistungstransistor
Minggu, 2026-07-12 18:04:56besitzt einen positiven Temperaturkoeffizienten, weshalb MOSFET parallel geschaltet werden können. MOSFET vertragen geringere Chip-Temperaturen (125 bis 150 °C)...
Click to read more »Elektronischer Schalter
Minggu, 2023-08-06 02:09:38Zustand entweder der n-Kanal MOSFET, dies ist bei kleinen Eingangsspannungen bis zu Ub/2 der Fall, und darüber der p-Kanal MOSFET. Dioden eignen sich wegen...
Click to read more »Vierquadrantensteller
Minggu, 2025-08-17 03:15:07Bei der sicheren Ansteuerung von MOSFET-H-Brücken hilft eine Ansteuerlogik mit belastbaren Treiberstufen, MOSFET-Treiber oder H-Brücken-Treiber genannt...
Click to read more »Gleichrichter
Jumat, 2026-04-17 02:03:24Phasenanschnittsteuerung eine gesteuerte Gleichrichtung. Feldeffekttransistoren (MOSFETs) werden bei Synchrongleichrichtern verwendet – insbesondere bei der Gleichrichtung...
Click to read more »NAND-Gatter
Senin, 2025-04-28 00:42:42Ladungsbeweglichkeit in den n-MOSFETs gegenüber den p-MOSFETs, so dass die im NAND-Gatter realisierte Parallelschaltung zweier p-MOSFETs günstiger ist als ihre...
Click to read more »Batteriemanagementsystem
Kamis, 2026-04-16 13:31:25(ohne den Akku und den Balancer). Hier liegen im Strompfad des BMS zwei MOSFET in Serie, was den Innenwiderstand des BMS mindestens verdoppelt. Vorteilhaft...
Click to read more »Kaskode
Senin, 2025-09-22 02:26:36schalten. Optimale Eigenschaften werden erreicht, wenn für T1 ein Leistungs-MOSFET gewählt wird. Auch Kombinationen aus Transistor (unten) und Elektronenröhre...
Click to read more »Pegelumsetzer
Sabtu, 2025-09-27 21:39:20Source-Anschluss des N-Kanal-MOSFETs auf Massepotenzial. Somit ergibt sich eine positive Gate-Sourcespannung, wodurch der MOSFET durchschaltet, den Ausgang...
Click to read more »Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Rabu, 2025-05-28 01:18:28Häufig wird die Abkürzung des populärsten Vertreters dieser Obergruppe, dem MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET), als Synonym für IGFET bzw. MISFET benutzt...
Click to read more »Verpolungsschutz
Minggu, 2023-02-12 18:05:11Nachteile: aufwendig, zusätzliche Verlustleistung in der Relaisspule Ein P-Kanal-MOSFET erlaubt Stromfluss über Drain nach Source wie eine Diode (Bodydiode). Mit...
Click to read more »Abwärtswandler
Jumat, 2026-02-06 07:04:02in der Diode zu verringern, kann man an ihrer Stelle einen gesteuerten MOSFET einsetzen. Man erhält dann eine Synchrongleichrichtung, der Spulenstrom...
Click to read more »Siliciumcarbid
Selasa, 2026-06-02 21:12:32bestimmend ist für den Durchlasswiderstand, kann bei SiC-MOSFETs bis zu zehnmal dünner sein als bei Si-MOSFETs. Aus der Kombination dieser Eigenschaften ergibt...
Click to read more »Mosfet (Band)
Kamis, 2026-06-11 13:17:31Mosfet ist eine oberösterreichische Metal-Band. Im Jahr 2003 wurde die Band im oberösterreichischen Marchtrenk von Philipp Essl, Alexander Kleiß und Florian...
Click to read more »Neuristor
Minggu, 2024-12-08 18:26:01Synapsen abbilden, sowie einem Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). In der Praxis konnten bislang Neuristoren mit einem Crossbar-Layer mit...
Click to read more »Parallelschaltung
Jumat, 2025-12-12 18:48:40unter diesen Bedingungen parallelgeschaltet werden. Gleichartige Leistungs-MOSFET und IGBT können im Schaltbetrieb parallelgeschaltet werden, da deren...
Click to read more »BCD
Senin, 2019-06-10 04:50:12integrierte Schaltungen, die bipolare, CMOSFET und Hochvolt-MOSFET-Transistoren (DMOS Leistungs-MOSFET) bereitstellt BMW Club Deutschland Bitcoin Diamond, eine...
Click to read more »Bootstrapping (Elektrotechnik)
Sabtu, 2025-09-27 19:11:32erläutert werden. Die beiden n-Kanal-MOSFETs, der untere MOSFET wird auch als low-side FET und der obere MOSFET als high-side FET bezeichnet, sollen abwechselnd...
Click to read more »Polysiliziumverarmung
Kamis, 2026-04-30 13:38:11eine Verarmungszone, die sich direkt auf die Kanalbildung in MOSFETs auswirkt. Dabei bildet die Verarmungsschicht im Polyzilizium eine zusätzliche...
Click to read more »Millereffekt
Minggu, 2026-07-26 16:17:11hingegen zur einfachen Frequenzkompensation ausgenutzt. Bei Leistungs-MOSFETs (Power-MOSFETs) und in Ringoszillatoren verlängert der Effekt die Schaltzeiten...
Click to read more »Stromrichter
Rabu, 2026-08-05 05:38:04Dioden, Transistoren oder Thyristoren, dabei insbesondere MOSFETs (genauer: Leistungs-MOSFET), IGBTs und IGCTs. Seit den 2010er Jahren kommen zu diesen...
Click to read more »Floating-Gate-Transistor
Senin, 2020-05-04 21:57:25normaler MOSFET des gleichen Typs. Für einen typischen FGFET vom Typ eines Anreicherungs-n-Kanal-MOSFETs (engl. enhancement n-channel MOSFET) bedeutet...
Click to read more »Ladungspumpe
Jumat, 2025-06-06 17:46:13Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) wie in zweiter Schaltung ersetzt. Zwar ist der Spannungsabfall an den MOSFETs geringer als die Flussspannung von...
Click to read more »Gate-Treiber
Sabtu, 2025-09-27 19:06:24Als Gate-Treiber (MOSFET-Treiber, IGBT-Treiber oder Halbbrücken-Treiber) bezeichnet man in der Elektronik, speziell der Leistungselektronik, eine diskrete...
Click to read more »Transmission-Gate
Sabtu, 2025-09-27 21:42:51Sourceanschluss verbunden ist. Die beiden Transistoren, ein n-Kanal-MOSFET und ein p-Kanal-MOSFET, sind dabei parallel geschaltet, wobei jedoch nur die Anschlüsse...
Click to read more »Audi SQ7
Senin, 2026-06-29 02:19:16nutzen. Die elektrische Energie wird auf der 12-V-Ebene durch einen neuen MOSFET-Generator, der bis zu 3 kW Leistung bereitstellen kann, erzeugt. Zur Transformation...
Click to read more »Nexperia
Jumat, 2026-05-29 07:41:47Nexperia ist ein Produzent von diskreten Bauelementen, Logikbausteinen und MOSFETs mit Hauptsitz in Nijmegen in den Niederlanden. Das Unternehmen ist eine...
Click to read more »Liste von Halbleitergehäusen
Kamis, 2026-04-30 20:17:10Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber...
Click to read more »Verlustleistung
Kamis, 2026-07-30 20:39:57Schaltnetzteilen verwendet man elektronische Schalter (Bipolartransistoren oder MOSFETs), um Strom mit einer Frequenz im Kilohertz-Bereich zu schalten. Dabei ist...
Click to read more »Complementary metal-oxide-semiconductor
Minggu, 2026-08-02 17:14:31für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS-Technik versteht...
Click to read more »SOAR-Diagramm
Minggu, 2025-01-12 21:18:42aktiven Halbleiterfläche entsteht (temperaturabhängige Materialparameter) in MOSFET und IGBT gibt es parasitäre Strukturen, die im Falle eines zu raschen Spannungsanstieges...
Click to read more »Halbleitertechnik
Jumat, 2026-02-27 18:10:36n-Kanal-Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MISFET bzw. n-Kanal-MOSFET) angelegt werden können. Oberflächennahe Dotierungen können als Source-Drain-Region...
Click to read more »Spannungsregler
Sabtu, 2026-07-18 14:20:23Verbesserung kann erreicht werden, wenn Q gegen einen pnp-Transistor oder p-MOSFET getauscht wird. Zusätzlich müssen die Eingänge des OP und Kollektor/Emitter...
Click to read more »MC-Thyristor
Kamis, 2024-05-16 19:39:09wird aber im Gegensatz dazu mit Hilfe eines Einschalt-MOSFET (engl. On-FET) und eines Ausschalt-MOSFET (engl. Off-FET) spannungsgesteuert geschaltet. Diese...
Click to read more »Aufwärtswandler
Sabtu, 2026-01-24 07:33:25aufnimmt. Es ist ein geeigneter Schalter S (beispielsweise ein Transistor (MOSFET) oder ein GTO-Thyristor) vorhanden, der von einer (in der Zeichnung nicht...
Click to read more »Integrierter Schaltkreis
Senin, 2026-06-22 17:23:57Schichtauftrag (Widerstände, Leiterzüge, Kondensatoren, Isolationen, Gates von MOSFET, Epitaxie) gefertigt. Technologie-Beispiele: TTL-, CMOS-, CCD-, BiCMOS-...
Click to read more »Class-D-Verstärker
Minggu, 2026-05-17 21:41:26durch die Totzeit begrenzt sein. Neben dem diskreten Schaltungsaufbau mit MOSFETs gibt es auch integrierte Class-D-Verstärker. Sie optimieren ihre Totzeit...
Click to read more »IGC-Thyristor
Minggu, 2025-05-04 06:43:18wird eine antiparallele Diode funktionell ähnlich der Body-Diode eines MOSFET mitintegriert und dieses Bauteil dann als RC-IGCT (für reverse conducting)...
Click to read more »Elektronische Last
Jumat, 2025-10-31 04:02:58einem Lastkreis bestehen. Der Lastkreis wird z. B. aus einem Leistungs-MOSFET gebildet, welcher die aufgenommene Leistung in Wärme umsetzt. Bei weiterentwickelten...
Click to read more »High-k+Metal-Gate-Technik
Jumat, 2024-10-25 12:40:17der streng genommen kein MISFET bzw. MOSFET mehr war, wieder ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Insgesamt führte der Einsatz von...
Click to read more »Inversion (Halbleiter)
Rabu, 2019-09-04 03:52:44Majoritätsladungsträgern rekombinieren. Mithilfe einer MIS-Struktur, wie dem MOSFET, können diese natürlichen Verhältnisse (Gleichgewichtszustand) verändert...
Click to read more »Liste elektrischer Bauelemente
Selasa, 2025-07-08 02:38:10(engl. metal oxide semiconductur field-effect transistor, MOSFET) Floating-Gate-Transistor (engl. floating-gate transistor) Organischer...
Click to read more »International Rectifier
Rabu, 2025-07-23 20:36:29Leistungstransistoren. 1979: Produktionsbeginn des ersten hexagonalen Leistungs-MOSFET (Hexfet) 1983: Erster kommerzieller IC zur intelligenten Spannungsregelung...
Click to read more »Unterschwelleneffekt
Kamis, 2026-02-12 04:33:46subthreshold effect) beschreibt die Beobachtung an einem MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET), dass auch ohne Inversionskanal unterhalb der Schwellspannung Uth ein kleiner...
Click to read more »Spannungsbezeichnung
Senin, 2025-04-07 08:12:18Terminals (Anschlüsse) eines Transistors, beispielsweise Drain und Source (MOSFET) und Collector, Emitter (Bipolartransistor). Doppelte Indizes wie CC oder...
Click to read more »NMOS-Logik
Senin, 2020-11-23 23:34:12genannte n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MOSFET) verwendet. Die NMOS-Logik wurde in den 1970er bis Ende der 1980er Jahre...
Click to read more »Wechselrichter
Rabu, 2025-08-06 03:37:43meist arbeiteten sie mit 50 Hz. Leistungstransistoren (Bipolartransistoren, MOSFET, IGBT) können das Zerhacken der Gleichspannung mit hoher Effizienz und ohne...
Click to read more »Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor
Rabu, 2022-11-02 06:21:28Stromfluss im einschaltenden MOSFET aufgrund der Speicherladung der Bodydiode im gegenüberliegenden MOSFET, die den einschaltenden MOSFET beschädigen können. Teilweise...
Click to read more »Logikfamilie
Sabtu, 2025-08-09 16:47:56(genauer: MOSFETs) realisieren. Die ersten Schaltungstechniken mit MOSFET wurden PMOS und NMOS genannt und verwendeten ausschließlich p-Kanal-MOSFET oder n-Kanal-MOSFET...
Click to read more »Nicht-Gatter
Kamis, 2025-02-27 16:39:51mittels der CMOS-Logik, basierend auf einem p-Kanal- und einem n-Kanal-MOSFET, realisiert (siehe Bild rechts). Nicht-Gatter können als Signalverstärker...
Click to read more »GgNMOS
Senin, 2022-11-21 16:13:08Schutzelement eingesetzten N-Kanal Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (N-MOSFET, NMOS) ab, der direkt am Die an jeden extern zugänglichen Anschlusspin vorgesehen...
Click to read more »Doppelpulstest
Jumat, 2026-05-08 22:01:36Charakterisierung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleitern, wie IGBTs, MOSFETs und die meist mit dem Halbleitermaterial Galliumnitrid aufgebauten HEMTs...
Click to read more »Sperrspannung
Sabtu, 2024-11-09 23:56:54Avalanche-Photodioden (Lawinenphotodioden) oder Avalanche-Schutzmechanismus in MOSFET und Gleichrichterdioden Überspannungsschutz mit Transientensuppressor bzw...
Click to read more »Digitale Medien
Sabtu, 2026-02-21 19:14:37weitgehend auf die Skalierung der Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) zurückzuführen ist, die es ermöglicht, die Anzahl der MOS-Transistoren...
Click to read more »Leistungselektronik
Selasa, 2026-08-04 02:11:47Leistung) IGBTs (Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Umrichter) Leistungs-MOSFET (Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler) Thyristor (Stromrichter, Halbleiterrelais...
Click to read more »Elektrischer Kontakt
Senin, 2025-02-10 19:12:32gefertigten Halbleiterrelais selbstsperrende FETs oder MOSFETs (Anreicherungstyp, engl.: enhancement MOSFET) eingesetzt (positive Steuer-Logik). Der Öffner bzw...
Click to read more »VW APP350
Rabu, 2026-05-27 04:50:49Kooperation mit Robert Bosch GmbH entwickelt wurde. Die verbauten SiC-MOSFETs erreichen Wirkungsgrade von 97 bis 99 % und übertreffen damit klassische...
Click to read more »Netzteil
Jumat, 2025-10-10 23:04:57speziellen monolithischen integrierten Schaltkreis (IC), der Leistungs-MOSFET und Regelung vereint. Extern sind lediglich eine Drossel oder ein Transformator...
Click to read more »Optokoppler
Kamis, 2026-07-09 18:55:04photovoltaischen Betrieb wie eine Solarzelle betrieben werden, um mit der Spannung MOSFET zu schalten; Damit können kleine und große Gleich- und Wechselströme geschaltet...
Click to read more »Demos (Begriffsklärung)
Sabtu, 2025-06-28 04:58:57Betriebssystem für die PDP-11 DEMOSFET, ein MOSFET mit erweitertem Draingebiet (engl. drain-extended MOSFET) Siehe auch: Demoss Dimos Haarbalgmilben, Gattung...
Click to read more »Thermisches Durchgehen
Jumat, 2025-10-17 22:25:58selbstverstärkende Prozess kann bis zur Selbstzerstörung führen. Bei einem Leistungs-MOSFET erhöht sich im durchgeschalteten Zustand mit zunehmender Temperatur der...
Click to read more »HCMOS
Minggu, 2025-04-13 13:06:31(dt. „komplementärer Hochgeschwindigkeits-Metall-Oxid-Halbleiter“, vgl. MOSFET). Ein HCMOS stellt eine Art von integriertem Schaltkreis dar, der aus einer...
Click to read more »Synchronwandler
Kamis, 2026-05-07 01:14:42Bauteile zum Einsatz, die Ströme in beide Richtungen leiten können, z. B. MOSFETs. Im Grunde kann der Synchronwandler als eine Kombination von Abwärts- und...
Click to read more »Metallische Gate-Elektrode
Sabtu, 2020-05-30 22:54:37(Steuerelektrode) eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors (IGFET, z. B. MOSFET). Sie grenzt sich ab gegenüber Gate-Elektroden aus Polysilizium (der polykristallinen...
Click to read more »Apollo 11
Minggu, 2026-07-12 15:22:54NASA ermöglicht, darunter Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in der Interplanetaren Überwachungsplattform (IMP) und integrierte Siliziumschaltungen...
Click to read more »Phasenanschnittsteuerung
Sabtu, 2026-08-01 12:02:35Es müssen entweder abschaltbare Thyristoren (GTO-Thyristor) oder Power-MOSFET resp. IGBTs verwendet werden, und auch die Steuerungselektronik ist aufwändiger...
Click to read more »NAND-Flash
Selasa, 2026-01-20 19:28:15Aufbau und Struktur einer NAND-Zelle. Die einzelnen MOSFETs einer Zelle liegen in unterschiedlichen Pages innerhalb eines Blockes....
Click to read more »Gleichspannungswandler
Sabtu, 2026-07-18 19:39:51der Energietechnik auch als Ventile bezeichnet, kommen dabei Leistungs-MOSFET, IGBTs und Thyristoren zum Einsatz. Gleichstromsteller werden in diesem...
Click to read more »Radar
Senin, 2026-08-10 00:21:21durch einen Modulator (Schaltröhre oder heute auch Halbleiterschalter mit MOSFET) bereitgestellt. Dieses Sendesystem wird auch POT (Power-Oszillator-Transmitter)...
Click to read more »Transistorgrundschaltungen
Sabtu, 2025-09-27 19:53:45die gleichmäßige Stromaufteilung sicherzustellen (nicht erforderlich bei MOSFET und IGBT) Kaskadenschaltung; Reihenschaltung mehrerer Transistoren in Emitterschaltung...
Click to read more »Elektrischer Kurzschluss
Kamis, 2026-07-02 23:29:21vermeiden, befinden sich ESD-empfindliche elektronische Bauelemente (wie MOSFETs, IGBTs, ICs) vor dem Einbau zum Transport und zur sicheren Handhabung oft...
Click to read more »Schaltnetzteil
Sabtu, 2026-04-25 03:31:53ersetzt, was den Wirkungsgrad verbessert. Als Schalter können Transistoren (MOSFET, Bipolartransistoren, IGBT) verwendet werden. Bei hohen Leistungen kommen...
Click to read more »Schutzdiode
Rabu, 2026-07-01 07:22:30Tobias Reimann, Jürgen Petzoldt, Josef Lutz: Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule. 2. Auflage. ISLE Verlag, 2015, ISBN 978-3-938843-85-7 (PDF-Version...
Click to read more »Erasable Programmable Read-Only Memory
Rabu, 2024-02-21 12:24:41Transistor ein Bit repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem MOSFET-Transistor mit einer zusätzlichen Gateelektrode zwischen Gate und Kanal...
Click to read more »Tesla Model 3
Sabtu, 2026-07-25 02:54:58Antriebseinheit arbeitet mit 24 Modulen, die je zwei auf 650 Volt ausgelegte MOSFETs enthalten. Seit September 2019 werden die Fahrzeuge für den US-Markt mit...
Click to read more »Mikrowellenherd
Sabtu, 2026-07-11 02:44:17doppelt-diffundierte MOSFET-Transistoren (LDMOS-FET, von engl. Lateral N-channel Metal Oxid Fieldeffect Transitors). Im Gegensatz zu herkömmlichen MOSFETs werden bei...
Click to read more »MCT
Selasa, 2024-06-11 14:35:29(Vereinigte Staaten) MOS Controlled Thyristor, einen Thyristor, der mittels MOSFET ein- und ausgeschaltet werden kann Monocarboxylate Transporter, einer Klasse...
Click to read more »Vierleitermessung
Rabu, 2025-11-19 07:50:01bemerkbar machen kann. Beispielsweise haben manche Ausführungen von Leistungs-MOSFETs zwei Source-Anschlüsse, um den Einfluss des Spannungsabfalls an der Zuführung...
Click to read more »Mikroelektronik
Rabu, 2026-07-29 15:41:27Form von leichter herstellbaren MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Das Funktionsprinzip der MOSFETs war zwar schon einige Jahrzehnte...
Click to read more »Active Pixel Sensor
Sabtu, 2026-07-25 04:51:18Sperrrichtung betrieben wird, als photosensitives Element und drei n-Kanal-MOSFETs (Feldeffekttransistoren). Zu Beginn der Belichtungsmessung wird die Spannung...
Click to read more »1/f-Rauschen
Rabu, 2025-08-06 17:59:07Gitterfehlern als eine wichtige Ursache. Bei Feldeffekttransistoren, insbesondere MOSFETs, spielt 1/f-Rauschen eine Rolle, wo es unterhalb von ca. 15 kHz gegenüber...
Click to read more »Reihenschaltung
Minggu, 2026-08-02 20:28:21Schaltzeitpunkte abzufangen. Das gelingt mit Widerständen und Kondensatoren. MOSFET können in Sonderfällen ohne Symmetrierung in Reihe geschaltet werden, wenn...
Click to read more »Gitarrenverstärker
Senin, 2026-03-30 14:33:49überwiegend MOSFET-Schaltungen zum Einsatz. Beispiel: Marshall MG-Serie Fender-Champion-Serie Marshall Lead 100 Mosfet (100 Watt, Hall, Name aufgrund MOSFET-Leistungstransistoren...
Click to read more »Logikgatter
Sabtu, 2026-08-01 02:47:48Bipolartransistoren (TTL) und der Feldeffekttransistoren, genauer der MOSFETs (CMOS), sowie auf der Kombination aus beiden Familien (BiCMOS). Sie bilden...
Click to read more »Bipolartransistor
Senin, 2026-07-20 15:48:24Alternativ werden bei Schaltanwendungen Feldeffekttransistoren (z. B. MOSFETs) eingesetzt. Dieser Bereich liegt zwischen Verstärkungsbereich und Sättigungsbereich...
Click to read more »Relais
Senin, 2026-06-29 17:36:21beschriebenen Halbleiterrelais keine Triacs oder Thyristoren, sondern MOSFETs, mit denen sie Gleich- und Wechselspannungen schalten können. Sie können...
Click to read more »Robert W. Bower
Minggu, 2025-12-14 08:31:41Research Laboratories in Malibu, California, wo er das Self Aligned Gate MOSFET erfand, das ihm 1969 patentiert wurde. Von 1987 bis 2000 lehrte er an der...
Click to read more »Strukturgröße
Senin, 2025-10-27 14:25:06Technologiequerschnitt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n-Kanal-MOSFET)...
Click to read more »Thyristor
Senin, 2026-08-10 18:10:53Fernsehgeräten eingesetzt, später wurden sie von Bipolartransistoren bzw. MOSFETs ersetzt. In Verbindung mit einer Zener-Diode findet der Thyristor in Klemmschaltungen...
Click to read more »GDT
Minggu, 2023-11-26 05:03:11Gasableiter Gate Drive Transformer, ein Übertrager zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs Great Divide Trail, ein 1200 km langer Wanderweg an der Grenze...
Click to read more »Injektion heißer Ladungsträger
Senin, 2026-03-23 01:31:10die Ladungsträger im Gate-Dielektrikum eines MOS-Feldeffekttransistors (MOSFET) gefangen werden können, können die Schalteigenschaften des Transistors...
Click to read more »Robert H. Dennard
Kamis, 2026-03-26 12:01:43Potenzial der Verkleinerung von MOSFETs erkannten. Zusammen mit Kollegen formulierte er 1974 eine „Skalierungs-Theorie“ für MOSFET – eine Feldeffekttransistor-Variante...
Click to read more »Endstufe
Kamis, 2025-11-13 16:13:39als Schalter eingesetzt sind. In praktischen Endstufen sind überwiegend MOSFET im Einsatz. Diese Technik wird auch oft bei Labornetzgeräten verwendet,...
Click to read more »Schaltverluste
Rabu, 2023-05-10 16:53:47Diagramm eingezeichnet, nicht berücksichtigt. Alle Bauteile (ausgenommen der MOSFET) werden als ideal angenommen. Die Einschaltverluste können nach denselben...
Click to read more »Miller-Integrator
Minggu, 2024-06-02 05:30:56einigen Femtofarad bei MOSFET Tetroden, über einige Picofarad bei Kleinleistungs-Transistoren bis zu einigen Nanofarad bei Leistungs-MOSFET. Der Millereffekt...
Click to read more »CCD-Sensor
Jumat, 2026-07-10 13:49:22denen von MOSFETs werden die Elektroden auch als Gate-Elektroden bezeichnet. Die Gates von CCDs sind tausend Mal so lang wie die von MOSFETs (10 µm statt...
Click to read more »Temperatursensor
Jumat, 2024-04-19 23:55:34Stromversorgungs-IC als Überhitzungsschutz (z. B. manchmal auch in Leistungs-MOSFET) Sensoren zur Messung der Temperatur im Inneren eines Akkumulators, der...
Click to read more »Elektronenröhre
Jumat, 2026-06-26 04:35:00Einsatzbedingungen und Typ) Keine komplementären Typen analog zu p-Kanal/n-Kanal-MOSFETs bzw. PNP/NPN-Bipolartransistoren möglich Meist geringerer Kühlungsaufwand...
Click to read more »Rechnerarchitektur
Rabu, 2026-07-29 15:55:30Architekturen ermöglichten, speziell der ab den 1960er Jahren bekannte FET und MOSFET. Damit begann das Computerzeitalter. Die Geburtsstätte des Silicon Valley...
Click to read more »Schottky-Diode
Selasa, 2026-05-26 19:33:54ermöglichen. Dies wurde vor allem vor der Verbreitung von leistungsfähigen MOSFETs bei schnellen Schaltern wie z. B. in Schaltnetzteilen genutzt, aber auch...
Click to read more »Snubber
Kamis, 2025-09-04 21:51:29Überkopfzünden. IGBTs und Bipolartransistoren können sogar zerstört werden. Bei MOSFETs führt die Miller-Kapazität bei zu schnellem Spannungsanstieg zu unsauberem...
Click to read more »Nothaltschalter
Rabu, 2026-06-03 01:17:12auf Basis von Halbleitern, genauer gesagt MOSFETs, ersetzt. Batterietrennschalter auf Basis von SiC-MOSFETs und IGBTs sind allerdings noch im Forschungsstadium...
Click to read more »Neuromorpher Schaltkreis
Selasa, 2025-01-14 00:16:10neuronale Netze) Inversion schwache Inversion (MOSFET im Sub-Threshold-Betrieb) starke Inversion (MOSFET im Above-Threshold-Betrieb) Treiber Spannungsgetrieben...
Click to read more »Dual Stress Liner
Rabu, 2021-11-17 04:34:33Herstellung von verspanntem Silizium (engl. strained silicon) für p- und n-Kanal-MOSFETs in Silicon-on-Insulator-Technologien (SOI). Das von IBM entwickelte Verfahren...
Click to read more »Elektrostatische Entladung
Kamis, 2026-07-02 23:16:11Integrierte Schaltkreise, Leuchtdioden, Halbleiterlaser, Schottky-Dioden, MOSFETs und IGBTs) und Baugruppen (zum Beispiel Computerkomponenten) in ESD-geschützter...
Click to read more »Operationsverstärker
Jumat, 2026-04-24 04:40:33Erfordernis verschiedene Transistortypen wie Bipolartransistoren, JFETs und MOSFETs zum Einsatz. Mit zunehmenden Stückzahlen sank auch der Preis der Bauteile...
Click to read more »Mesa/Boogie
Kamis, 2026-04-23 17:43:06für den E-Bass zusätzlich auch Hybridverstärker mit Röhrenvorstufe und MOSFET-Endstufe erhältlich. Der Name „Boogie“ soll auf den Gitarristen Carlos Santana...
Click to read more »Halbleiter mit breitem Bandabstand
Selasa, 2026-08-11 05:08:38Microwave Integrated Circuit (MMIC). Für Leistungshalbleiter wie MOSFETs (genauer: Leistungs-MOSFET) und IGBTs finden die Werkstoffe Siliciumcarbid (SiC) und...
Click to read more Ȇbertrager
Senin, 2026-07-06 16:49:28Signalübertrager zur Ansteuerung von Leistungshalbleitern (Rechtecksignale für MOSFET, Bipolartransistoren, IGBT) in Schaltnetzteilen, Wechselrichtern und Frequenzumrichtern:...
Click to read more »Aluminium
Rabu, 2026-08-05 17:33:20(Gate) von Feldeffekttransistoren mit Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (MOSFET beziehungsweise MOS-FET) verwendet. Neben dem geringen spezifischen Widerstand...
Click to read more »Bipolarer Leistungstransistor
Kamis, 2025-02-27 18:49:51Industrie stellte der Leistungsbipolartransistor – ebenso wie der Leistungs-MOSFET – ein industrielles Standardbauteil zur Beeinflussung des elektrischen Stromes...
Click to read more »Frequenzumrichter
Senin, 2026-04-06 16:04:21Leistungstransistoren sein, wie Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), IGC-Thyristoren (IGCT). Er erzeugt...
Click to read more »Martin M. Atalla
Sabtu, 2026-07-18 03:46:59Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) gemeinsam mit Dawon Kahng, der unter Atalla bei den Bell Labs arbeitete. Der MOSFET hat sich seitdem zur zentralen...
Click to read more »Thermische Oxidation von Silizium
Sabtu, 2026-06-06 22:52:45funktionierenden MOSFET (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor, dt. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Ein MOSFET besteht aus...
Click to read more »Induktionsofen
Minggu, 2026-05-03 15:56:07Mittel- bis unterem Hochfrequenzbereich werden Umrichter mit Leistungs-MOSFETs, MOS-Transistoren oder IGBT-Umrichter verwendet. Im MHz-Bereich kommen...
Click to read more »Röhrenverstärker
Jumat, 2026-01-09 07:56:24ersetzten die Halbleiterbauelemente Bipolartransistor, Feldeffekttransistor und MOSFET zunehmend die Röhre in nahezu allen elektronischen Einsatzgebieten. Verglichen...
Click to read more »Lisa Su
Jumat, 2026-07-31 16:34:42Dissertation trägt den Titel Extreme-submicrometer silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs. Von Juni 1994 bis Februar 1995 arbeitete Su für Texas Instruments im Semiconductor...
Click to read more »Organischer Feldeffekttransistor
Sabtu, 2026-01-24 16:55:28sie, ähnlich MOSFETs, als Dünnschichttransistor gefertigt, in dem die halbleitende Schicht nur wenige Nanometer dick ist. Wie bei MOSFETs ist auch bei...
Click to read more »Ringoszillator
Rabu, 2025-03-26 02:01:17Bipolartransistoren auch ohne Kondensatoren deutlich langsamer als eine Schaltung aus MOSFET-Invertern. Damit die Schaltung überhaupt schwingt, muss ihre...
Click to read more »Fotolithografie (Halbleitertechnik)
Senin, 2025-12-29 10:18:06Weitem nicht so hoch, wie sie bei der Strukturierung des Gates (eines MOSFETs) benötigt werden. Defekte sind eines der wesentlichen Kriterien für die...
Click to read more »PC-Netzteil
Senin, 2026-07-27 13:29:16Bereich liegen. Häufige Gründe für defekte Netzteile sind ausgefallene MOSFETs. Des Weiteren können Wärmeleitpasten verharzen oder aushärten, die die...
Click to read more »Lambda-Diode
Selasa, 2023-12-12 01:23:25(MOSFETs) mit JFETs Logikgatter wie Und-Gatter, Oder-Gatter und Nicht-Gatter realisiert werden. Da sich allerdings MOSFETs in integrierten...
Click to read more »Differenzverstärker
Minggu, 2026-01-25 12:03:08Miller-Operationsverstärker mit MOSFETs...
Click to read more »Single Event Effect
Minggu, 2021-05-02 20:56:25einen überhöhten Strom im Bereich der Drain-Source-Strecke eines Leistungs-MOSFETs, was zur Zerstörung des Bauteils führt. Single Event Gate Rupture (SEGR):...
Click to read more »High-k-Dielektrikum
Sabtu, 2022-04-30 04:13:42High-k-Artikeln (engl.) H. Huff, D. Gilmer: High Dielectric Constant Materials. VLSI MOSFET Applications. Springer, Berlin 2004, ISBN 3-540-21081-4, S. 263. ...
Click to read more »Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Senin, 2025-10-13 17:00:03entspricht der Schwellspannung U t h {\displaystyle U_{\mathrm {th} }} bei MOSFETs. Bei weiterer Erhöhung von U D S {\displaystyle U_{\mathrm {DS} }} bleibt...
Click to read more »DIBL-Effekt
Senin, 2025-07-28 03:37:52Drain(spannungs)-bedingte Potentialbarriereabsenkung) ist ein Kurzkanaleffekt in MOSFETs, der sich in seiner ursprünglichen Form auf eine Reduzierung der Schwellenspannung...
Click to read more »MLC-Speicherzelle
Selasa, 2025-03-11 23:50:56NAND-Flash-Speichern verwendet, in denen pro Speicherzelle, welche aus einem MOSFET mit Floating-Gate besteht, mehrere Bits – Stand 2009 bis zu vier (Quad Level...
Click to read more »Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor
Kamis, 2017-07-06 00:11:44Gegensatz zu konventionellen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) ist die Gate-Elektrode nicht durch eine Metallschicht, sondern durch eine...
Click to read more »Mikroprozessor
Sabtu, 2026-08-08 04:17:13Register-basierter, digitaler integrierter Schaltkreis (IC) in CMOS- bzw. MOSFET-Technik, der Binärdaten entsprechend der in seinem Arbeitsspeicher enthaltenen...
Click to read more »Schalter (Elektrotechnik)
Sabtu, 2026-07-04 04:39:57analogen Signalen (z. B. Audiosignalen) geeignet sind. Sie arbeiten meist mit MOSFETs und werden als integrierte Schaltungen verbaut. Als elektrisch gesteuerte...
Click to read more »Dünnschichttransistor
Rabu, 2022-12-21 15:38:48dem Schema des bekannten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der am häufigsten verwendeten IGFET-Variante. Die wesentlichen Unterschiede...
Click to read more »Quanten-Hall-Effekt
Rabu, 2026-05-06 15:55:26dagegen nur bei 0,1 bis 10 μA. Die bei QHE-Versuchen verwendeten Proben sind MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistors), bei denen die Ladungsträgerdichte...
Click to read more »Leistungshalbleiter
Rabu, 2026-07-22 00:45:16Triacs werden vor allem Wechselströme gesteuert und geschaltet. Leistungs-MOSFETs und IGBTs sind Transistoren mit besonderen Schalt- und Leistungseigenschaften...
Click to read more »S3L-Inverter
Selasa, 2020-10-27 02:24:23Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule. ISLE Verlag, 1998, ISBN 3-932633-24-5, Abschnitt 1.2.3 Qualitatives Schaltverhalten von MOSFET und IGBT beim harten...
Click to read more »Wolfspeed
Jumat, 2026-05-15 00:44:54Halbleiterbauelementen für die Leistungselektronik wie beispielsweise Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliciumcarbid. Am 14. Juli 2016 gab Infineon die Absicht...
Click to read more »Dawon Kahng
Jumat, 2026-07-24 01:57:03Atalla an der Herstellung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) auf Basis des Halbleiters Siliciums, welchen sie gemeinsam 1959 entwickelten...
Click to read more »Biosensor
Senin, 2026-06-08 05:10:50Feldeffekttransistoren (ISFET) oder Metalloxid-beschichtete Säureelektroden (MOSFET) verwendet. Als Referenzelektrode benutzt man eine Elektrode gleichen Typs...
Click to read more »Chipgehäuse
Sabtu, 2025-10-25 01:59:07BD135-NPN-Transistors TO-252-Gehäuse (DPAK) eines Cisco-EPC3212-LeistungsMOSFETs Diverse SMD-Bauteile (SO8 und DPAK) SMD-Kondensatoren im Vergleich zu THT-Bauformen...
Click to read more »NOR-Flash
Minggu, 2022-08-07 07:38:22Aufbau und Struktur einer NOR-Zelle. Die einzelnen MOSFETs einer Zelle liegen auf unterschiedlichen Adressen innerhalb eines Blocks....
Click to read more »Scheitelwert
Rabu, 2025-08-06 21:19:14Eingänge von analogen und digitalen integrierten Schaltkreisen oder auch MOSFETs. Beispiele Eine Gleichrichter-Diode 1N400x ist für einen Strommittelwert...
Click to read more »Liste österreichischer Metalbands
Selasa, 2026-03-03 19:33:10Wien Wien Death Metal, Extreme Metal The Morphean 2004 Modern Death Metal Mosfet 2003 2016 Oberösterreich Marchtrenk Thrash Metal NA15 2001 Burgenland Eisenstadt...
Click to read more »Automotive Electronics Council
Jumat, 2026-06-19 14:12:42(Thyristoren, Zenerdioden, Bipolartransistoren, Brückengleichrichter, MOSFETs, Triacs, JFETs, Schottkydioden, Diacs, Varistoren) und AEC Q200 für Passive...
Click to read more »Ćuk-Wandler
Minggu, 2026-04-12 15:49:51Schaltbild einer praktischen Ausführung des Ćuk-Wandlers mit einem MOSFET. Um eine bessere Effizienz zu erreichen, kann die Diode ebenfalls als Transistor...
Click to read more »Ngspice
Minggu, 2026-03-29 23:55:55wachsende Anzahl von Halbleiterbauelementen, wie Dioden, Transistoren, MOSFET (sowohl bulk als auch SOI); MESFET, JFET und HFET. Dem Simulator können...
Click to read more »Kohlenstoffnanoröhre
Sabtu, 2026-07-25 05:29:16Funktionsweise wie die eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFETs) erhofft man sich bessere Leistung. Feldeffekttransistoren mit Nanoröhren-Technologie...
Click to read more »Sender Solec Kujawski
Sabtu, 2026-04-25 19:19:19werden kann, beträgt 1200 Kilowatt und wird mit volltransistorisierten MOSFET-Endstufen erreicht. Wie beim früheren Sender in Konstantynów wird die Trägerfrequenz...
Click to read more »Ionisationsrauchmelder
Kamis, 2026-08-06 04:09:34einiger Nanoampere messen. Später wurden diese durch Feldeffekttransistoren (MOSFET) abgelöst. Mit ihnen ist es möglich, Ströme von weniger als 10 pA zu messen...
Click to read more »Liste von Erfindern
Rabu, 2026-08-05 23:05:16GB – Bowdenzug 1902 (vermeintlich) Robert W. Bower (1936–2024), USA – MOSFET Bruno Boxler (1912–1989), Deutschland – tropfenfreie Kannen-Ausgusstülle...
Click to read more »FAMOS
Selasa, 2025-10-14 03:03:07FAMOS Floating-gate avalanche injection MOS, eine spezielle Variante eines MOSFET mit einem Floating-Gate Fragebogen zur Analyse motivationaler Schemata,...
Click to read more »Energy Harvesting
Rabu, 2025-09-03 01:44:38andere thermoelektrische Phänomene Datenblatt für Schaltregler-IC mit VCC bis 20 mV Amateur-Experimente zum Eigenbau mit MOSFETs und Bipolartransistoren....
Click to read more »Hagen Jakubaschk
Minggu, 2026-06-21 12:41:26Fernsteuerexperimente Teil II, 1970. Bd. 111 Angewandte Elektronik, 1972. Bd. 143 MOSFET-Schaltungspraxis, 1976. Bd. 149 Leuchtdioden und ihre Anwendung, 1977. Bd...
Click to read more »Zweiter Durchbruch
Sabtu, 2024-12-28 02:36:46betragen. (Nur Bipolartransistoren können auf diese Weise „getunt“ werden. MOSFETs z. B. bieten diese Möglichkeit nicht.) Diese maximal mögliche Sperrspannung...
Click to read more »Bipolar-CMOS-Technik
Kamis, 2025-10-23 16:04:55Metall-Oxid-Halbleiter) basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), in einer einzigen integrierten Schaltung vereint. In jüngerer Zeit wurden...
Click to read more »Planartechnik
Sabtu, 2025-07-05 22:37:51Herstellung der aktiven Bereiche (Basis, Emitter und Kollektor, später beim MOSFET Source und Drain) erreichte Hoerni, indem er die Passivierungsschicht durch...
Click to read more »Jörg Schulze (Physiker)
Jumat, 2025-09-12 04:46:32zum Thema „Das Vertikal- und Quasivertikalkonzept der Silizium-basierten MOSFET-Technologie“ und schloss diese erfolgreich im Jahr 2004 ab. Ein Forschungsaufenthalt...
Click to read more »Automobilelektronik
Rabu, 2026-07-29 21:39:54Vierrad-Antiblockiersystem für Personenwagen. Auf der Leiterplatte sind Siemens n-Kanal-MOSFET-Steuerschaltungen integriert (ASICs). Die Entwicklungszeit betrug neun Jahre...
Click to read more »Shindengen Kōgyō
Jumat, 2026-04-17 20:33:35beispielsweise verschiedene Dioden (Schottky-Dioden, Diacs, Zener-Dioden), MOSFETs und integrierte Schaltkreise. Anwendung finden die Produkte des Unternehmens...
Click to read more »B. Jayant Baliga
Senin, 2026-02-09 04:19:19of Power Semiconductor Devices, Springer Science, 2008. Advanced Power MOSFET Concepts, Springer Science, 2010. Advanced Power Rectifier Concepts, Springer...
Click to read more »Verlustwärme
Senin, 2024-12-02 23:22:54Verfügung stehen; die Strömung der durch Halbleiter (wie beispielsweise MOSFETs) und Leiter hindurchfließenden elektrischen Ladungen erzeugt beim Hindurchfließen...
Click to read more »Ionensensitiver Feldeffekttransistor
Sabtu, 2026-01-31 22:42:59photohärtbaren Epoxidharzen verkapselt werden. Bergveld: The impact of MOSFET-based sensors. In: Sensors and Actuators. 8. Jahrgang, Nr. 2, Oktober 1985...
Click to read more »Impulsgenerator (Energietechnik)
Minggu, 2026-02-22 00:18:34Das können zum Beispiel mechanische Schalter, Thyristoren, Thyratrons, MOSFET, Elektronenröhren oder insbesondere Schaltfunkenstrecken sein. Typisches...
Click to read more »Polycide-Prozess
Kamis, 2019-11-28 15:50:06in der DRAM-Fertigung zur Herstellung des Word-Line-Leiterbahnen und -MOSFETs. Das in den 1970er-Jahren eingeführte Verfahren stellt eine Verbesserung...
Click to read more »Pulse-Step-Modulation
Minggu, 2024-09-15 20:30:47eines Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) oder Leistungs-MOSFET realisiert, welche Schaltfrequenz von einigen 10 kHz erlauben. Zusätzlich...
Click to read more »Hobbyelektronik
Minggu, 2026-03-08 05:40:05Tongenerator sein. Zur Verarbeitung ESD-empfindlicher Bauteile (unter anderem MOSFETs, hocheffektive Leuchtdioden, Laserdioden, ICs) ist eine ESD-Ausrüstung...
Click to read more »Gesteuerter Gleichrichter
Jumat, 2021-12-24 16:55:16Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT), Thyristoren oder aus speziellen MOSFETs. Früher gab es gesteuerte Gleichrichter mit mechanischen Kontakten ähnlich...
Click to read more »Eintaktflusswandler
Sabtu, 2018-05-12 04:30:08und Kondensator oder im Grenzfall nur mit dem Avalanche-Durchbruch des MOSFET thermisch abgebaut werden. Gegentaktflusswandler wie der Halb- und...
Click to read more »Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Selasa, 2026-07-14 02:54:54Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal ungefähr doppelt so groß ist wie bei MOSFETs. Dadurch sind größere Ströme bei gleichen Abmessungen sowie höhere Arbeitsfrequenzen...
Click to read more »Nanoprägelithografie
Senin, 2025-12-29 23:52:20Dioden von Interesse. Ebenso lassen sich elektronische Schaltkreise wie MOSFETs, organische TFTs oder Einzelelektronenspeicher kostengünstiger und einfacher...
Click to read more »Planartransistor
Jumat, 2026-04-17 07:04:10Hauptvertreter der bekannte Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist. Auch diese Transistoren werden in der heute noch üblichen Form als...
Click to read more »Elektrokeramik
Selasa, 2026-07-28 13:58:15Verbindungshalbleiter und wird beispielsweise zum Aufbau temperaturstabiler Leistungs-MOSFET im Bereich der Leistungselektronik genutzt. Einen weiteren Bereich stellen...
Click to read more »Low-Voltage-Prozessor
Minggu, 2017-01-22 06:36:25Spannungsregler (VR = Voltage Regulator) mit anschließendem superschnellem MOSFET-Treiber bewerkstelligt. Damit die engen Spezifikationen von den Entwicklern...
Click to read more »PSoC
Selasa, 2025-08-12 21:05:35PowerPSoC, mit besonderen Power-Funktionen: bis maximal 4 mal 0,5 oder 1 Ampere MOSFET oder nur mit externen Gate-Treibern, mit 16 KByte Flash-Speicher, 1 KByte...
Click to read more »Epitaxialtransistor
Sabtu, 2026-07-25 21:54:16wichtigere Entwicklung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) durch Martin Atalla und Dawon Kahng, der ebenfalls 1960 auf der SSDRC vorgestellt...
Click to read more »Zeta-Wandler
Selasa, 2022-08-02 12:23:23ein Schalter (S), welcher in üblichen Aufbauten in Form eines P-Kanals MOSFET ausgeführt wird und durch die nicht dargestellte Steuerschaltung periodisch...
Click to read more »Auto-Zero-Verstärker
Rabu, 2024-03-27 22:05:12zusammenzufassen. Statt des mechanischen Choppers aus der Röhren-Ära dienen MOSFETs als Schalter. Als Bauelement auf kleinstem Raum, ähnlich einem normalen...
Click to read more »Equivalent oxide thickness
Sabtu, 2023-11-04 02:20:09Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs). Die elektrischen Eigenschaften eines MOSFETs wird unter anderem durch das Gatedielektrikum, das...
Click to read more »Liste der Mitglieder der National Inventors Hall of Fame
Selasa, 2026-08-04 13:59:09Entwicklung Enzyme 2014 Arthur Ashkin, Optische Falle 2013 Martin Atalla, MOSFET 2009 Alpheus Babcock, Gusseisen-Klavierrahmen 2007 Ralph H. Baer, Videospiel-Konsole...
Click to read more »AY-3-8500
Selasa, 2026-08-11 14:32:31Proceedings IEEE 19.-21. April 1977, Electro77. 1977, S. 3. Cole Johnson: MOSFET mechanics. Cole’s Nerd-stuff Blog, 26. August 2018. Egon Strauss: El Mundo...
Click to read more »EPoX
Minggu, 2026-08-09 17:10:52erhielten andere Auszeichnungen. Qualitativ minderwertige Kondensatoren und MOSFETs auf den Boards verursachten Mitte 2003 jedoch eine Häufung von Hardware-Ausfällen...
Click to read more »Analogmultiplizierer
Minggu, 2025-09-28 01:44:41Daneben existieren auch andere Schaltungsvarianten, wie beispielsweise mit MOSFETs. Dabei wird das Produkt aus den beiden positiven Eingangsspannungen v1...
Click to read more »Julius Edgar Lilienfeld
Sabtu, 2026-08-01 12:28:04Angemeldet am 28. März 1928, Erfinder: Julius Edgar Lilienfeld (Dünnfilm-MOSFET). Patent US1877140: Amplifier for electric currents. Angemeldet am 8. Dezember...
Click to read more »LOCOS-Prozess
Selasa, 2025-01-07 04:17:20Chen, C.-Y. Wu: An evaluation of FUROX isolation technology for VLSI/nMOSFET fabrication. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band 35, Nr. 3,...
Click to read more »Elektrostatischer Lautsprecher
Minggu, 2026-02-22 04:07:27wird entweder direkt durch Hochspannungsverstärker (Röhrenverstärker oder MOSFET) erzeugt oder mittels Transformator vom üblichen Leistungsverstärkerspannungen...
Click to read more »Schaltungstechnik
Rabu, 2026-02-04 02:19:14semiconductor, CMOS) nutzt die komplementären Eigenschaften von n- und p-Kanal-MOSFETs, um Logikschaltungen aufzubauen. BiCMOS-Schaltungstechnik, auch...
Click to read more »ISS-Expedition 4
Sabtu, 2023-12-09 00:32:01Detektoren die Strahlenbelastung verschiedener Körperteile präzise gemessen (MOSFET-Detektoren im Rahmen des Experiments EVA-Radiation Monitoring). Die...
Click to read more »PSIM
Minggu, 2024-05-05 21:17:59Simulatoren über eine vereinfachte und damit intuitivere Schnittstelle. MOSFET und Dioden Modelle der Stufe 2 wurden in der Version 10 hinzugefügt. Diese...
Click to read more »Salicide-Prozess
Sabtu, 2024-10-12 00:03:19zwischen den aktiven Gebieten des Silizium-Substrats (Source und Drain des MOSFET) und den Leiterbahnebenen. Der Begriff selbst ist eine Mischform aus Initial-...
Click to read more »Hughes & Kettner ATS 100
Minggu, 2025-06-15 11:30:37des Gitarrensignals für beide Kanäle durch einen Transistorverstärker in MOSFET-Schaltung erbracht wird. Hierdurch können typische Endstufenverzerrungen...
Click to read more »Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor
Senin, 2020-12-14 20:37:35Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate (IGFET), zu dem auch der bekannte MOSFET gehört, bei dem die leitfähige (meist metallische) Gate-Elektrode entfernt...
Click to read more »Richard A. Webb
Jumat, 2026-07-10 01:59:52Beobachtung von eindimensionalem Mott variable range Hopping in Silizium-MOSFETs). 1985 wurde er Fellow der American Physical Society. 1992 erhielt er den...
Click to read more »Simon Sze
Sabtu, 2026-02-21 00:44:58978-0-470-53794-7 (englisch). Hiroshi Iwai, Simon Min Sze, Yuan Taur, Hei Wong: MOSFETs. In: Joachim N. Burghartz (Hrsg.): Guide to State-of-the-Art Electron Devices...
Click to read more »Skalierung (Mikroelektronik)
Sabtu, 2024-03-23 22:46:27Verkleinerung der geometrischen Abmessungen von Bauelementen (in der Regel MOSFETs) und der damit verbundenen Änderung weiterer relevanter Bauelementparameter...
Click to read more »Liste US-amerikanischer Erfinder und Entdecker
Kamis, 2026-05-07 17:02:17(Sharps-Borchardt-Modell 1877, Borchardt C93 1893) Robert W. Bower (1936–2024), USA – MOSFET Herbert W. Boyer (* 1936) USA – Rekombinante DNA (gemeinsam mit Stanley...
Click to read more »Doris Schmitt-Landsiedel
Minggu, 2026-05-17 23:35:01S. 195–206. mit G. Dorda: Novel hot-electron effects in the channel of MOSFETs observed by capacitance measurements. In: IEEE Trans. Electron Devices...
Click to read more »Digital Power
Kamis, 2024-06-27 23:59:19Strömen bereit. (er) Die Totzeit für eine Halbbrücke aus oberen und unteren MOSFETs stellt sicher, dass niemals beide gleichzeitig eingeschaltet sind. Diese...
Click to read more »Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor
Rabu, 2025-06-18 03:01:36Transistoren. MOSFETs werden heutzutage als Logik-Gatter in Chips oder Mikroprozessoren verbaut und verwendet. Dabei dient der MOSFET als Schalter, über...
Click to read more »Treble Booster
Minggu, 2025-12-07 06:03:48Boost hat vier verschiedene Boosts: Dallas Range Masters, JFET, OpAmp und MOSFET. Einige der Pedale haben kein „True-Bypass“, Bei vielen Modellen fehlt LED...
Click to read more »J. J. Ebers Award
Jumat, 2025-11-14 00:32:14herausragende Beiträge zum Verständnis des Effekts heißer Elektronen in MOSFET Bauteilen und die Entwicklung fortgeschrittener bipolarer Technologie 1990...
Click to read more »IEEE Andrew S. Grove Award
Rabu, 2025-08-06 18:48:32Inversionsschichten von Hochleistungs-MOSFETs. 2014 Sanjay Banerjee (University of Texas at Austin) für Beiträge zu MOSFETs aus Halbleitern der Hauptgruppe...
Click to read more »Verstärkerlinearisierung
Sabtu, 2024-11-09 21:14:17Towards a Generalisation of Error Correction Amplifiers (PDF-Datei; 895 kB) A MOSFET Power Amplifier with (Hawksfork) Error Correction, cordellaudio.com paX...
Click to read more »Utz Baitinger
Rabu, 2025-05-21 03:10:53Remshardt, Utz Baitinger: A High Performance Low Power 2048-bit Memory Chip in MOSFET Technology and Its Application, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol...
Click to read more »Gerhard Dorda
Jumat, 2026-04-24 14:21:24von Halbleitern zur Erklärung des piezoelektrischen Effekts in MOSFETs bei Raumtemperatur nach, die er auf ihre Tauglichkeit für Mikrophone untersuchen...
Click to read more »Kompaktregler
Jumat, 2024-12-13 14:57:41Schaltelemente zur Verfügung wie Relais-, Halbleiterrelais-, Logik- und MosFET-Ausgänge und werden entweder für die Ansteuerung von binären Stellgliedern...
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